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STB6N65K3
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：-
技术参数：MOSFET N-CH 650V DPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：STB6N65K3制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：MOSFET N-CH 650V DPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：不適用於新設計FET类型：-技术：-漏源电压（Vdss）：-25°C时电流-连续漏极(Id)：5.4A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-不同Id时Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-Vgs（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-FET功能：-功率耗散（最大值）：-工作温度：-安装类型：-器件封装：-现在可以订购STB6N65K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
