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STF2LN60K3
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：单端场效应管，TO-220FP
技术参数：MOSFET N CH 600V 2A TO-220FP
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技术参数详情：
制造商产品型号：STF2LN60K3制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：MOSFET N CH 600V 2A TO-220FP系列：SuperMESH3?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.5 欧姆 @ 1A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：235pF @ 50V功率 - 最大值：20W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3 整包供应商器件封装：TO-220FP现在可以订购STF2LN60K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
