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STFI9N60M2
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:I2PAKFP(TO-281)
技术参数:MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAKFP
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技术参数详情:
制造商产品型号:STFI9N60M2制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAKFP系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:MDmesh? II Plus零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):600V25°C时电流-连续漏极(Id):5.5A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):780 毫欧 @ 3A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10VVgs(最大值):±25V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):320pF @ 100VFET功能:-功率耗散(最大值):20W(Tc)工作温度:150°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:I2PAKFP(TO-281)现在可以订购STFI9N60M2,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。