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STG3P2M10N60B
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：SEMITOP?2
技术参数：IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
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技术参数详情：
制造商产品型号：STG3P2M10N60B制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2系列：晶体管 - IGBT - 模块零件状态：停产IGBT类型：-配置：三相反相器电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：19A功率-最大值：56W不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，7A电流-集电极截止（最大值）：10μA不同?Vce时输入电容(Cies)：0.72nF @ 25V输入：单相桥式整流器NTC热敏电阻：无工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：SEMITOP?2现在可以订购STG3P2M10N60B，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
