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STGB30H60DF
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：IGBT 600V 60A 260W D2PAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGB30H60DF制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：IGBT 600V 60A 260W D2PAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：60A电流-集电极脉冲(Icm)：120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，30A功率-最大值：260W开关能量：350μJ（开），400μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：105nC25°C时Td（开/关）值：50ns/160ns测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：110ns工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB现在可以订购STGB30H60DF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
