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STGB30H65DFB2
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
技术参数：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGB30H65DFB2制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：HB2零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：50A电流-集电极脉冲(Icm)：90A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A功率-最大值：167W开关能量：270μJ（开），310μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：90nC25°C时Td（开/关）值：18.4ns/71ns测试条件：400V，30A，6.8 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：115ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA现在可以订购STGB30H65DFB2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
