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STGD10NC60SDT4
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
技术参数：IGBT 600V 18A 60W DPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGD10NC60SDT4制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：IGBT 600V 18A 60W DPAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：18A电流-集电极脉冲(Icm)：25A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.65V @ 15V，5A功率-最大值：60W开关能量：60μJ（开），340μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：18nC25°C时Td（开/关）值：19ns/160ns测试条件：390V，5A，10欧姆，15V反向恢复时间(trr)：22ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63现在可以订购STGD10NC60SDT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
