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STGF15M65DF2
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-220-3 整包
技术参数:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
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技术参数详情:
制造商产品型号:STGF15M65DF2制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):30A电流-集电极脉冲(Icm):60A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A功率-最大值:31W开关能量:90μJ(开),450μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:45nC25°C时Td(开/关)值:24ns/93ns测试条件:400V,15A,12 欧姆,15V反向恢复时间(trr):142ns工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-220-3 整包现在可以订购STGF15M65DF2,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。