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STGF19NC60KD
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3 整包
技术参数：IGBT 600V 16A 32W TO220FP
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGF19NC60KD制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：IGBT 600V 16A 32W TO220FP系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：16A电流-集电极脉冲(Icm)：75A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.75V @ 15V，12A功率-最大值：32W开关能量：165μJ（开），255μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：55nC25°C时Td（开/关）值：30ns/105ns测试条件：480V，12A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：31ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3 整包现在可以订购STGF19NC60KD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
