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STGP8M120DF3
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:通孔
技术参数:TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V
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技术参数详情:
制造商产品型号:STGP8M120DF3制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:管件零件状态:-IGBT类型:有源电压-集射极击穿(最大值):沟槽型场截止电流-集电极(Ic)(最大值):1200V电流-集电极脉冲(Icm):16A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):32A功率-最大值:2.3V @ 15V,8A开关能量:-输入类型:390μJ(开),370μJ(关)栅极电荷:标准25°C时Td(开/关)值:32nC测试条件:20ns/126ns反向恢复时间(trr):600V,8A,33 欧姆,15V工作温度:103ns安装类型:-55°C ~ 175°C(TJ)封装:通孔现在可以订购STGP8M120DF3,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。