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STGP8M120DF3
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：通孔
技术参数：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGP8M120DF3制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：管件零件状态：-IGBT类型：有源电压-集射极击穿（最大值）：沟槽型场截止电流-集电极(Ic)（最大值）：1200V电流-集电极脉冲(Icm)：16A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：32A功率-最大值：2.3V @ 15V，8A开关能量：-输入类型：390μJ（开），370μJ（关）栅极电荷：标准25°C时Td（开/关）值：32nC测试条件：20ns/126ns反向恢复时间(trr)：600V，8A，33 欧姆，15V工作温度：103ns安装类型：-55°C ~ 175°C（TJ）封装：通孔现在可以订购STGP8M120DF3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
