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STGW35NC60WD
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
技术参数:IGBT 600V 70A 260W TO247
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技术参数详情:
制造商产品型号:STGW35NC60WD制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)描述:IGBT 600V 70A 260W TO247系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:PowerMESH?零件状态:停产IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):70A电流-集电极脉冲(Icm):150A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,20A功率-最大值:260W开关能量:305μJ(开),181μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:102nC25°C时Td(开/关)值:29.5ns/118ns测试条件:390V,20A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):40ns工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3现在可以订购STGW35NC60WD,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。