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STGWA40H60DLFB
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT TRENCH 600V 40A TO247
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGWA40H60DLFB制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：IGBT TRENCH 600V 40A TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：HB零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：40A电流-集电极脉冲(Icm)：-不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 7V，40A功率-最大值：283W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：-工作温度：175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3现在可以订购STGWA40H60DLFB，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
