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STH110N8F7-2
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:H2Pak-2
技术参数:MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
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技术参数详情:
制造商产品型号:STH110N8F7-2制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)描述:MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:STripFET? F7零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):80V25°C时电流-连续漏极(Id):110A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.6 毫欧 @ 55A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):45nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3200pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):170W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:H2Pak-2现在可以订购STH110N8F7-2,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。