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STN3P6F6
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:SOT-223
技术参数:MOSFET P-CH 60V SOT223
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技术参数详情:
制造商产品型号:STN3P6F6制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)描述:MOSFET P-CH 60V SOT223系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:DeepGATE?, STripFET? VI零件状态:有源FET类型:P 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):3A(Tj)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):160 毫欧 @ 1.5A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):6.4nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):340pF @ 48VFET功能:-功率耗散(最大值):2.6W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:SOT-223现在可以订购STN3P6F6,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。