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STP3NB100
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220AB
技术参数:MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
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技术参数详情:
制造商产品型号:STP3NB100制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)描述:MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:PowerMESH?零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):1000V25°C时电流-连续漏极(Id):3A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6 欧姆 @ 1.5A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):700pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):100W(Tc)工作温度:150°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:TO-220AB现在可以订购STP3NB100,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。