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STS8DN3LLH5
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
技术参数:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
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技术参数详情:
制造商产品型号:STS8DN3LLH5制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:STripFET? V零件状态:有源FET类型:2 N-通道(双)FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):10A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):19 毫欧 @ 5A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):5.4nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):724pF @ 25V功率-最大值:2.7W工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)现在可以订购STS8DN3LLH5,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。