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STSJ100NHS3LL
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SOIC-EP
技术参数：MOSFET N-CH 30V 100A 8SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：STSJ100NHS3LL制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：MOSFET N-CH 30V 100A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：STripFET? III零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.2 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 4.5VVgs（最大值）：±16V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4200pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3W（Ta），70W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-SOIC-EP现在可以订购STSJ100NHS3LL，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
