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STU6N65K3
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：I-PAK
技术参数：MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：STU6N65K3制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：SuperMESH3?零件状态：不適用於新設計FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：5.4A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.3 欧姆 @ 2.7A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：880pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：110W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：I-PAK现在可以订购STU6N65K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
