这些器件面向移动器件、机顶盒、汽车娱乐、便携式医疗设备和智能电表等应用。
我们的小信号肖特基二极管以及倒装片和SOD-923器件有助于满足最严格的空间节省要求,特别是便携式通信设备。
对于硅二极管已达到工作温度和功率密度极限的功率转换器应用,意法半导体的第一代和第二代碳化硅器件能够提供最佳的可靠性。
利用意法半导体面向功率为几十瓦到3 kW、灵活且稳定的设计的高集成度、高效电源模块减少设计时间和工作。意法半导体的智能电源模块在单个封装内整合了采用三相IGBT逆变器桥或半桥(单腿)配置的IGBT电源开关、续流二极管、面向栅极驱动的控制IC、保护和其它可选特性,从而取代了30多个分立器件。
面向高压和低压应用的先进电源技术以及多种封装选项和创新型晶片键合技术说明了意法半导体在功率晶体管领域的创新。我们的产品包括-500~1500V MOSFET、额定温度(200 °C)最高的碳化硅(SiC)MOSFET、击穿电压范围为350~1300V的IGBT和大量功率双极晶体管。
意法半导体推出大量保护器件,满足所有行业要求:
EOS浪涌保护
ESD保护
雷击浪涌保护
汽车保护
限流器
我们的保护器件通过了所有认证,达到或者超过了与面向要求苛刻的汽车、计算机、消费类、工业和电信市场的电子电路板相关的国际电气危害保护标准。
我们的先进技术包括:
面向雷击浪涌的大电流撬棒保护(采用TVS撬棒二极管和IC,或Trisils)
面向电源浪涌的高效箝位保护和ESD保护(采用TVS箝位二极管和阵列,或Transils)
其它专用保护功能,包括串联电流限制器、热关断、CMOS与SPI接口
标准和高级创新封装,例如流越型DFN、WLCSP和PowerQFN,能够节约板空间,从而改善布局选项。
意法半导体提供了大量RF LDMOS和DMOS功率晶体管,其面向频率为1 MHz ~ 2 GHz的应用,例如商业和公共安全、FM广播及工业、科技和医疗应用。 它们提供多种封装选项,从SMD塑料封装到陶瓷和STAC气腔封装,加强了热性能,提升了射频性能,实现了同类中最佳的可靠性。
意法半导体推出全套晶闸管和AC开关,其额定电压高达1200 V、额定电流高达120 A,提供多种封装选项,从微型表面贴装封装到高功率耗散隔离和非隔离封装。
最新的AC开关采用SMBflat封装,其比SOT-223小,面向0.8 A器件、SCR、三端双向可控硅开关和ACS类。可以设计出SMBflat和SOT-223完全可以互换的PCB,以便提高生产灵活性。